Universiti Tokyo telah berjaya membangunkan teknologi baru untuk pemprosesan mikro laser substrat kaca
Baru-baru ini, University of Tokyo mengumumkan pembangunan "teknologi pemprosesan mikro laser" untuk generasi akan datang substrat kaca semikonduktor, yang dapat mencapai ketepatan tinggi, aperture yang sangat kecil dan pemprosesan mikro aspek tinggi pada bahan kaca. Substrat kaca yang digunakan dalam eksperimen adalah "EN-A1" yang dihasilkan oleh AGC.
Dengan bantuan laser ultraviolet dalam denyutan ultra-pendek, pasukan telah mencapai pemprosesan ketepatan peringkat mikron bahan-bahan kaca-diameter lubang penembusan adalah kurang daripada 10 mikron, dan nisbah aspek dapat mencapai 20: 1. Sebelum ini, sukar untuk menyediakan struktur lubang nisbah aspek tinggi berdasarkan proses etsa larutan asid, dan teknologi pemprosesan langsung ultraviolet laser yang mendalam bukan sahaja memecah kesesakan ini, tetapi juga mencapai pemprosesan lubang berkualiti tinggi yang berkualiti tinggi. Di samping itu, proses ini tidak memerlukan langkah -langkah rawatan kimia, yang dapat mengurangkan beban alam sekitar yang disebabkan oleh rawatan sisa cecair.
Imej mikroskopik micropores yang digerudi pada kaca en-a1 dari atas dan sisi
Pencapaian ini merupakan peristiwa penting dalam teknologi pemprosesan selepas pembuatan semikonduktor generasi akan datang. Oleh kerana bahan teras substrat dan peralihan bahan interposer ke berasaskan kaca, teknologi ini menyediakan penyelesaian utama untuk pemprosesan melalui lubang substrat kaca. Pada masa akan datang, ia dijangka menggalakkan pembangunan peranti semikonduktor ke arah saiz yang lebih kecil dan kerumitan integrasi yang lebih tinggi dalam teknologi chiplet.
